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北京京瑞馨科技发展有限公司 > 公司资讯 > 产品讯息 > Wi-Fi医疗应用市场2016年可达13.4亿美元  

三菱电机开始发售 卫星通信用C波段100W GaN HEMT
2012-2-9 22:44:21
用于卫星通信C波段,达到业内最高功率100W
“卫星通信用C波段100W GaN HEMT”的发售通知
三菱电机株式会社宣布研发出两款用于C波段※1卫星通信地面站※2的GaN HEMT功率放大器:MGFC50G5867 和MGFC47G5867 ,拥有100W和50W的业届最高输出※5功率,样品从2012年1月10日开始提供。
※1 频率4 GHz~8GHz的微波
※2 卫星通信时设置在地面的基站
※3 Gallium Nitride氮化镓
4 High Electron Mobility Transistor:高子迁移率晶体管
※5 截至2011年11月29日,根据本公司调查。在卫星通信地面站GaN HEMT
 
 
新产品的特点
1大功率、高效率有助于功率放大器的小型化
・采用耐压性能卓越的GaN,可在40V的高电压下工作
・大功率,输出功率分别达到100W(MGFC50G5867)和50W(MGFC47G5867)
・高效率,功率附加效率※6达到43%以上
※6 供电功率转换为输出功率时的效率。数值越高,效率越佳。
2低失真特性有助于提高信号质量
・输出功率为40W(46dBm)时IM3※7=-25dBc,实现低失真特性(MGFC50G5867)
7 Inter Modulation当2个信号同时输入到放大器时产生的失真现象数值越低,性能越佳
 
 
销售概要
产品名
型号
概要
样品出厂日期
输出功率
增益
GaN HEMT
MGFC50G5867
50dBm(100W)
10dB
2012年
1月10日
MGFC47G5867
47dBm(50W)
10dB
 
销售目标
卫星通信基站使用的是采用GaAs(砷化镓)HFET的功率放大器;但因GaAs HFET难以达到大功率,故有时需要多个HFET组合使用,如何实现功率放大器小型化成了一大课题。
本公司之前推出用于卫星功率放大器的C波段GaN HEMT产品,该产品采用功率附加效率卓越的GaN材质,比GaAs具有更高饱和电子速率和更高击穿电压,已从2010年3月开始提供样品。本次推出的2款“GaN 内匹配HEMT”新产品,可用于卫星通信基站的射频功率放大器,输出功率分别为100W、50W,亦将提供样品。这两款产品将有助于推进基站功率放大器的小型化。
主要规格
型号
MGFC50G5867
MGFC47G5867
建议工作条件
VDS9
40V
40V
IDQ10
1.15A
0.58A
频率
5.8GHz~6.7GHz(C波段)
3dB增益
压缩点功率
P3dB
(标准值)
100W
50W
线性功率增益
Glp※11
(标准值)
10dB
10dB
功率附加效率
PAE12
(标准值)
43%
45%
※9 Drain to Source Voltage漏极电压
※10 Quiescent Drain Current静态漏电流
※11 Linear Gain测试频 f=6.4GHz
※12 Power Added Efficiency测试频f=6.4GHz @P3dB
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